サムスン追い上げへ東芝・ＷＤ　３年間で四日市の半導体工場に１兆４千億円を投資

　東芝と米ウエスタンデジタル（ＷＤ）は１５日、記憶用半導体「ＮＡＮＤ型フラッシュメモリー」を製造する四日市工場（三重県四日市市）で会見し、今後３年間で約１兆４千億円を投資する方針を明らかにした。平成２９年に素子を積層し、容量を増やす次世代の３次元（３Ｄ）メモリーの新工場を建設する。量産体制を確立し、先行する世界シェア首位の韓国サムスン電子を追い上げる。

　東芝とＷＤは同日、四日市工場で新第２製造棟の完成式典を開いた。東芝の綱川智社長は「新棟で３Ｄメモリーへの切り替えを加速させたい」と意気込みを語った。

　ＮＡＮＤ型フラッシュメモリーは回路の微細化で容量を増やす技術で各社が競い合ってきた。だが、微細化が限界に達したため、競争のステージは３Ｄに移行している。東芝は２９年度に３Ｄの生産比率を全体の５割、３０年度に８割以上に引き上げる計画だ。

　一方、サムスンは１年半前に３Ｄの量産化に成功した。昨秋から３Ｄの量産を本格化させ、東芝・ＷＤ連合を上回る設備投資を行う方針。巻き返しの成否が東芝の経営再建の行方も左右しそうだ。