今回開発された不揮発性マイクロコントローラーユニット（ＭＣＵ）【拡大】
■ＩｏＴ向けバッテリーなしで動作
東北大学の省エネルギー・スピントロニクス集積化システムセンターおよび国際集積エレクトロニクス研究開発センターなどは、動作周波数２００ＭＨｚと高性能でありながら、平均電力５０マイクロワット（１マイクロは１００万分の１）以下の低消費電力を両立する“不揮発性マイコン”を世界で初めて実証したと発表した。
現在主流の揮発性半導体メモリーに代わり、待機電力を必要としない不揮発性メモリーの一つとして、電荷と磁石の性質を利用するスピントロニクス技術を用いたＳＴＴ－ＭＲＡＭ（スピン注入型磁気抵抗メモリー）の開発が進められており、高速動作や低電圧動作、書き換え耐性の強さなどから、大きな期待が持たれている。
また、あらゆるモノがインターネットでつながるＩｏＴ技術を背景とする分散型システムの社会実装において、太陽光や照明光、振動、熱、電波などの環境を利用したエナジーハーベスティングによる電力駆動を可能とする超低消費電力性と、人工知能（ＡＩ）の発展に伴い予想されるＩｏＴシステムの高機能化の要求に応える高性能さを両立するマイクロコントローラーユニット（ＭＣＵ）の開発が急務とされている。
東北大の研究グループはこの問題への解決策として、スピントロニクス素子のスピン移行トルク型ＭＴＪ（磁気トンネル接合素子）と、Ｓｉ－ＣＭＯＳ技術を組み合わせた集積回路技術を用いたＭＣＵを開発。４０ナノメートル（１ナノは１０億分の１）のＣＭＯＳプロセスと、同大学の国際集積エレクトロニクス研究開発センターで開発された３９ナノメートルＭＴＪプロセスが用いられている。
全ての演算部をスピントロニクス素子で不揮発化し、パワーゲーティング技術を細かい粒度で適用することで、無駄な消費電力を排除。さらに、信号処理を高速化する再構成型演算モジュール、演算部とメモリーの転送ボトルネックを緩和するメモリーコントローラーを組み込むことで、革新的とする２００メガヘルツ（１メガは１００万倍）の高速動作と、性能評価では平均４７．１４マイクロワットの超低消費電力を実現した。
従来のＭＣＵと比べて２倍以上の演算性能の向上と、２桁以下の低消費電力となっており、本研究で実証されたＭＣＵではエナジーハーベスティングでのバッテリーフリー駆動の可能性が見込まれ、ＩＣＴ社会における基盤技術として期待できるとしている。（インプレスウオッチ）
