東芝が世界初の６４層技術で３次元フラッシュメモリーを生産開始　まずサンプル出荷

　東芝は２７日、６４層の３次元メモリー半導体「ＮＡＮＤ型フラッシュメモリー」のサンプル出荷を世界で初めて開始したと発表した。これまで４８層で容量２５６ギガビット品を生産してきたが、６４層の製造技術を実用化した。２０１７年前半に容量２５６ギガビットで量産出荷を開始する予定で、将来的には５１２ギガビットの製品化も計画している。

　スマートフォンなどで使われるフラッシュメモリーは素子を積層し、容量を増やす３次元の製造技術が主流となりつつある。

　東芝は６４層の新製品で回路技術や製造過程を最適化し、チップサイズを小型化した。これにより、４８層タイプよりも単位面積あたりの容量を約１・４倍まで拡大した。新製品はデータセンターやパソコンで使われる記憶装置「ソリット・ステート・ドライブ（ＳＳＤ）」向けやスマートフォンやタブレット端末向けに販売展開する。

　フラッシュメモリー市場は、これまで回路の微細化で容量を増やす技術で製造してきた。微細化が限界に達し、韓国のサムスン電子や米マイクロン・テクノロジーなども３次元による量産技術の開発を積極的に行っている。

　東芝も３次元の生産比率を１７年度に全体の５割、１８年度に８割以上に引き上げる計画。来年度には四日市工場（三重県四日市市）に新棟を建設し、３次元の生産を加速させる方針だ。